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In questo tipo di memorie ogni cella può essere indirizzata in modo indipendente e i tempi di accesso sono uguali per ognuna di esse.

Le RAM si possono organizzare in due diversi modi:
•    Vettore, è presente un decoder e n driver
•    Matrice bidimensionale, l’indirizzo viene spezzato in due parti, due decoder e 2*radq(n) driver. Per ridurre il numero di bit di indirizzo mandati in parallelo, l’indirizzo viene trasmesso in due momenti separati. La prima parte vanno al decoder di riga accompagnati dal segnale RAS e la seconda viene mandata al decoder di colonna con il segnale CAS. In questo modo se si deve accedere a due dati contenuti nella stessa riga viene attivato il Page Mode: si attiva la riga (RAS) si accede al primo dato usando (CAS) e poi si trasmette direttamente il secondo indirizzo di colonna accompagnato da CAS senza dover ritrasmettere la riga.

Esistono diversi tipi di memoria organizzate in questo modo:
•    ROM, il contenuto non può essere modificato. Il costo è quasi indipendente al numero di pezzi
•    PROM, sono schede programmabili una sola volta attraverso la bruciatura di un fusibile con apparecchi speciali.
•    EPROM, sono riprogrammabili in seguito all’esposizione ai raggi ultravioletti. La scrittura può avvenire anche dopo il montaggio sulla scheda.
•    EEPROM, sono riprogrammabili in loco utilizzando i normali segnali di pilotaggio anche se la scrittura è più lenta della lettura.
•    Flash, usano un solo transistor per bit quindi sono molto compatte e dense. In lettura si comportano come le RAM anche se in scrittura sono più dense, sono scrivibili soltanto a blocchi, devono prima essere cancellate.
•    RAM.
     o    Statiche: celle composte da un Flip-Flop. Sono costose in termini di silicio, sono più veloci delle DRAM, sono più semplici da usare, sono molto affidabili. Una volta attivata la riga e la colonna corrispondenti, se si attivano due segnali diversi agli ingressi del flip flop si ha la lettura, altrimenti si può impostare un valore.
     o    Dinamiche: celle composte da un condensatore o da un transistor, la lettura è distruttiva e richiedono una riscrittura dopo ogni lettura. Una volta attivata riga e colonna corrispondente il condensatore si scarica riportando quindi il dato che in esso era contenuto e poi si procede con la riscrittura del dato stesso, in scrittura il condensatore viene caricato con il valore prescelto. Dopo un certo tempo t il condensatore tende a scaricarsi, quindi sono necessarie delle letture fittizie che ripristino il segnale di partenza. Il tempo di rinfresco è molto minore e molto poco frequente rispetto, tanto da poter essere quasi trascurato nel calcolo delle prestazioni. La circuiteria per il rinfresco è interna alla memoria, al contrario che nel passato. Molte memorie RAM sono protette per evitare che i condensatori assumano valori fittizi.
         ^    BIT di PARITA’: Si opera associando ad ogni cella un codice di un bit di parità, che viene calcolato nel momento della scrittura e ricalcolato nel momento della lettura. In caso di disparità viene mandato un messaggio di errore e il valore non è più recuperabile
         ^    CODICE DI HAMMING: tali codici richiedono logN bit e permettono non solo di capire se sono presenti anomalie, ma anche di ricalcolare il dato perso, in caso di errore singolo.
     o    SDRAM: hanno uno o più ingressi di clock e quindi al posto che aspettare un tempo in ms vengono attesi un numero predefinito di colpi di clock prima di eseguire la lettura/scrittura successiva
     o    Memorie interlacciate: Si possono leggere più parole appartenenti allo stesso modulo in //
La lettura nelle memorie di questo genere avviene nel seguente modo: viene messo su A0-A9 l’indirizzo di riga e viene attivato il segnale RAS. Si aspetta il t rah e poi si procede mettendo su A0-A9 l’indirizzo di colonna, attivando il segnale CAS. Si aspetta t rac e si ha in uscita il dato richiesto.